| 패키지/케이스 | TO-262-3 |
| 포장 | Tube |
| Technology | Si |
| Brand | Nexperia |
| 장착 스타일 | Through Hole |
| 트랜지스터 극성 | N-Channel |
| 하강 시간 | 43 ns |
| Id - 연속 드레인 전류 | 100 A |
| 제조업체 | Nexperia |
| Pd - 전력 발산 | 263 W |
| 제품 타입 | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 111 nC |
| Rds On - Drain-Source 저항 | 22.6 mOhms |
| 상승 시간 | 35 ns |
| Standard Pack Qty | 50 |
| Subcategory | MOSFETs |
| 표준 턴-오프 지연 시간 | 87 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| RoHS - | Y |
Quick
PSMN8R5-100ESQ
MOSFET PSMN8R5-100ES/SOT226/I2PAK
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상품코드
P004853334
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제 조 사
Nexperia
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마일리지
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PSMN8R5-100ESQ
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