구성 | Single |
높이 | 5.1 mm |
길이 | 14 mm |
패키지/케이스 | TO-268-3 |
포장 | Tube |
시리즈 | IXTT26N50 |
Technology | Si |
Transistor 타입 | 1 N-Channel |
타입 | PolarHV Power MOSFET |
Width | 16.05 mm |
Brand | IXYS |
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 | 24 S |
장착 스타일 | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
트랜지스터 극성 | N-Channel |
Channel Mode | Enhancement |
하강 시간 | 20 ns |
Id - 연속 드레인 전류 | 26 A |
제조업체 | IXYS |
최대 작동 온도 | + 150 C |
최소 작동 온도 | - 55 C |
Pd - 전력 발산 | 400 W |
제품 타입 | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 65 nC |
Rds On - Drain-Source 저항 | 230 mOhms |
상승 시간 | 25 ns |
Standard Pack Qty | 30 |
Subcategory | MOSFETs |
상표명 | PolarHV |
표준 턴-오프 지연 시간 | 58 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5.5 V |
RoHS - | Y |