| 구성 | 1 N-Channel |
| 높이 | 2.3 mm |
| 길이 | 6.5 mm |
| 패키지/케이스 | TO-252-3 |
| 포장 | Reel |
| 시리즈 | SPD30N03 |
| Technology | Si |
| Transistor 타입 | 1 N-Channel |
| Width | 6.22 mm |
| Brand | Infineon Technologies |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 | 23.8 S |
| 장착 스타일 | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| 트랜지스터 극성 | N-Channel |
| Channel Mode | Enhancement |
| 하강 시간 | 17 ns |
| Id - 연속 드레인 전류 | 30 A |
| 제조업체 | Infineon |
| 최대 작동 온도 | + 175 C |
| 최소 작동 온도 | - 55 C |
| Pd - 전력 발산 | 100 W |
| Qg - Gate Charge | 41.8 nC |
| Rds On - Drain-Source 저항 | 7.8 mOhms |
| 상승 시간 | 13 ns |
| Standard Pack Qty | 2500 |
| 상표명 | OptiMOS |
| 표준 턴-오프 지연 시간 | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.1 ns |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| RoHS - | Y |
Quick
SPD30N03S2L-10 G
MOSFET N-KANAL POWER MOS
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상품코드
P004850567
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제 조 사
Infineon Technologies
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SPD30N03S2L-10 G
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