| 구성 | Dual |
| 패키지/케이스 | SOT-363-6 |
| 포장 | Reel |
| 연속 드레인 전류 | 1.28 A, - 1 A |
| 드레인-소스 항복 전압 | +/- 20 V |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 | 2.6 S, 1.5 S |
| 게이트-소스 항복 전압 | +/- 12 V |
| 장착 스타일 | SMD/SMT |
| 전력 발산 | 570 mW |
| Drain-Source On 저항 | - |
| 트랜지스터 극성 | N and P-Channel |
| 하강 시간 | 210 nS, 850 nS |
| Gate Charge Qg | 0.65 nC, 1.2 nC |
| 제조업체 | Vishay |
| 최대 작동 온도 | + 150 C |
| 최소 작동 온도 | - 55 C |
| 제품 카테고리 | Dual MOSFETs |
| 상승 시간 | 85 nS, 480 nS |
| Standard Pack Qty | 3000 |
| 상표명 | TrenchFET |
| 표준 턴-오프 지연 시간 | 350 nS, 840 nS |
| RoHS - | Y |
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SI1563EDH-T1-E3
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI1553CDL-T1-GE3
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제 조 사
Vishay/Siliconix
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SI1563EDH-T1-E3
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