| 구성 | Single |
| 높이 | 9.6 mm |
| 길이 | 38.23 mm |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4 |
| 포장 | Tube |
| 시리즈 | IXFN60N80 |
| Technology | Si |
| Transistor 타입 | 1 N-Channel |
| Width | 25.42 mm |
| Brand | IXYS |
| 장착 스타일 | Chassis Mount |
| Number of Channels | 1 Channel |
| 트랜지스터 극성 | N-Channel |
| Channel Mode | Enhancement |
| 하강 시간 | 26 ns |
| Id - 연속 드레인 전류 | 53 A |
| 제조업체 | IXYS |
| 최대 작동 온도 | + 150 C |
| 최소 작동 온도 | - 55 C |
| Pd - 전력 발산 | 1040 W |
| 제품 타입 | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source 저항 | 140 mOhms |
| 상승 시간 | 29 ns |
| Standard Pack Qty | 10 |
| Subcategory | MOSFETs |
| 상표명 | HiPerFET |
| 표준 턴-오프 지연 시간 | 110 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 36 ns |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| RoHS - | Y |
Quick
IXFN60N80P
MOSFET DIODE Id54 BVdass800
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- 대리점
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소비자가
견적문의요망
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상품코드
P001504159
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제 조 사
IXYS
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마일리지
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IXFN60N80P
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