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IXTP60N20T

MOSFET Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
  • IXTP60N20T

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      • 대리점
    • 소비자가
      6,770
    • (vat 포함)
      7,447원
    • 상품코드
      P001492430
    • 제 조 사
      IXYS
    • 마일리지
      0 IC
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    • 1 ~ 9개 6,770
    • 10 ~ 24개 6,050
    • 25 ~ 49개 5,270
    • 50 ~ 99개 4,730
    • 100 ~ 249개 4,480
    • 250 ~ 499개 4,240
    • 500 ~ 999개 4,020
    • 1000 ~ 2499개 3,380
    • 2500개 이상~ 2,900
    총 합계 6,770 원 (vat 별도)
    7,447 원 (vat 포함)
    연구비카드사용가능
  • 이 상품의 상품코드는 P001492430 입니다.

    IXTP60N20T
     구성 Single
     패키지/케이스 TO-220AB-3
     포장 Tube
     시리즈 IXTP60N20
     Technology Si
     Transistor 타입 1 N-Channel
     Brand IXYS
     순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 40 S
     장착 스타일 Through Hole
     Number of Channels 1 Channel
     트랜지스터 극성 N-Channel
     Channel Mode Enhancement
     하강 시간 13 ns
     Id - 연속 드레인 전류 60 A
     제조업체 IXYS
     최대 작동 온도 + 175 C
     최소 작동 온도 - 55 C
     Pd - 전력 발산 500 W
     제품 타입 MOSFET
     Qg - Gate Charge 73 nC
     Rds On - Drain-Source 저항 40 mOhms
     상승 시간 13 ns
     Standard Pack Qty 50
     Subcategory MOSFETs
     상표명 HiPerFET
     표준 턴-오프 지연 시간 33 ns
     Typical Turn-On Delay Time 22 ns
     Vds - 드레인-소스 항복 전압 200 V
     Vgs - Gate-Source Voltage 10 V
     Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
     RoHS -  Y

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IXTP60N20T

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