| 구성 | Single |
| 높이 | 21.46 mm |
| 길이 | 16.26 mm |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 |
| 포장 | Tube |
| 시리즈 | IXFH52N30 |
| Technology | Si |
| Transistor 타입 | 1 N-Channel |
| 타입 | Polar Power MOSFETs HiPerFET |
| Width | 5.3 mm |
| Brand | IXYS |
| 순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 | 20 S |
| 장착 스타일 | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| 트랜지스터 극성 | N-Channel |
| Channel Mode | Enhancement |
| 하강 시간 | 20 ns |
| Id - 연속 드레인 전류 | 52 A |
| 제조업체 | IXYS |
| 최대 작동 온도 | + 150 C |
| 최소 작동 온도 | - 55 C |
| Pd - 전력 발산 | 400 W |
| 제품 타입 | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 110 nC |
| Rds On - Drain-Source 저항 | 73 mOhms |
| 상승 시간 | 22 ns |
| Standard Pack Qty | 30 |
| Subcategory | MOSFETs |
| 상표명 | HiPerFET |
| 표준 턴-오프 지연 시간 | 60 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 300 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| RoHS - | Y |
Quick
IXFH52N30P
MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds
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상품코드
P001484656
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제 조 사
IXYS
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IXFH52N30P
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