| 구성 | Single |
| 패키지/케이스 | DP-3 |
| Brand | Toshiba |
| 장착 스타일 | Through Hole |
| 트랜지스터 극성 | N-Channel |
| Channel Mode | Enhancement |
| 하강 시간 | 30 ns |
| Id - 연속 드레인 전류 | 1 A |
| 제조업체 | Toshiba |
| 최대 작동 온도 | + 150 C |
| 최소 작동 온도 | - 55 C |
| Pd - 전력 발산 | 40 W |
| 제품 카테고리 | MOSFETs - Power & Small Signal |
| Rds On - Drain-Source 저항 | 9 Ohms |
| 상승 시간 | 20 ns |
| Standard Pack Qty | 600 |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 900 V |
| Vgs - 게이트-소스 항복 전압 | 30 V |
| RoHS - | Y |
Quick
2SK2845(TE16L1,Q)
Toshiba MOSFETs - Power & Small Signal MOSFET N-Ch 900V 1A Rdson 9 Ohm
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- 대리점
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소비자가
견적문의요망
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상품코드
P000775673
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제 조 사
Toshiba
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마일리지
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2SK2845(TE16L1,Q)
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