구성 | Single |
패키지/케이스 | TO-220-3 |
포장 | Tube |
시리즈 | CoolMOS E6 |
Technology | Si |
Transistor 타입 | 1 N-Channel |
Brand | Infineon Technologies |
장착 스타일 | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
트랜지스터 극성 | N-Channel |
하강 시간 | 8 ns |
Id - 연속 드레인 전류 | 10.6 A |
제조업체 | Infineon |
최대 작동 온도 | + 150 C |
최소 작동 온도 | - 55 C |
Pd - 전력 발산 | 31 W |
Qg - Gate Charge | 32 nC |
Rds On - Drain-Source 저항 | 380 mOhms |
상승 시간 | 9 ns |
Standard Pack Qty | 500 |
상표명 | CoolMOS |
표준 턴-오프 지연 시간 | 56 nS |
Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
RoHS - | Y |