구성 | Single |
패키지/케이스 | TO-220-3 |
시리즈 | STP185N55F3 |
Brand | STMicroelectronics |
장착 스타일 | Through Hole |
트랜지스터 극성 | N-Channel |
Channel Mode | Enhancement |
하강 시간 | 50 ns |
Id - 연속 드레인 전류 | 120 A |
제조업체 | STMicroelectronics |
최대 작동 온도 | + 175 C |
최소 작동 온도 | - 55 C |
Pd - 전력 발산 | 330 W |
제품 카테고리 | Power MOSFET Transistors |
Rds On - Drain-Source 저항 | 3.5 mOhms |
상승 시간 | 150 ns |
Standard Pack Qty | 1000 |
표준 턴-오프 지연 시간 | 110 ns |
Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 55 V |
Vgs - 게이트-소스 항복 전압 | 20 V |
RoHS - | Y |