| Collector- Base Voltage VCBO | - 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | - 32 V |
| 구성 | Single |
| DC Current Gain hFE Max | 390 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | - 5 V |
| 높이 | 1.5 mm |
| 길이 | 4.5 mm |
| 포장 | Cut Tape |
| 포장 | Reel |
| 시리즈 | 2SB1132 |
| Technology | Si |
| Width | 2.5 mm |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Continuous Collector Current | - 1 A |
| 장착 스타일 | SMD/SMT |
| 트랜지스터 극성 | PNP |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 82 |
| Gain Bandwidth 제품 fT | 150 MHz |
| 제조업체 | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| 최대 작동 온도 | + 150 C |
| 최소 작동 온도 | - 55 C |
| Pd - 전력 발산 | 500 mW |
| 제품 타입 | BJTs - Bipolar Transistors |
| Standard Pack Qty | 1000 |
| Subcategory | Transistors |
| RoHS - | Y |
Quick
2SB1132T100Q
Bipolar Transistors - BJT PNP 32V 1A SO-89
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상품코드
[P000158999]
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제 조 사
ROHM Semiconductor
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2SB1132T100Q
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