구성 | Single |
패키지/케이스 | TO-220-3 |
포장 | Tube |
Brand | ON Semiconductor |
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소 | 11.5 S |
장착 스타일 | Through Hole |
트랜지스터 극성 | P-Channel |
Channel Mode | Enhancement |
하강 시간 | 62 ns |
Id - 연속 드레인 전류 | 23 A |
제조업체 | ON Semiconductor |
최대 작동 온도 | + 175 C |
최소 작동 온도 | - 40 C |
Pd - 전력 발산 | 90 W |
제품 카테고리 | MOSFETs- Power and Small Signal |
Rds On - Drain-Source 저항 | 120 mOhms |
상승 시간 | 98.3 ns |
Standard Pack Qty | 50 |
표준 턴-오프 지연 시간 | 41 ns |
Vds - 드레인-소스 항복 전압 | - 60 V |
Vgs - 게이트-소스 항복 전압 | +/- 15 V |
RoHS - | Y |